买卖IC网 >> 产品目录 >> MJD45H11 两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

MJD45H11

库存数量：可订货
制造商：ON Semiconductor
描述：两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT 8A 80V 20W PNP
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制造商 ON Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极—基极电压 VCBO 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 80 V
发射极 - 基极电压 VEBO 5 V
集电极—射极饱和电压 80 V
最大直流电集电极电流 8 A
增益带宽产品fT 90 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 60 at 2 A at 1 V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TO-252-3 (DPAK)
相关资料
属性
链接
代理商 MJD45H11
MJD45H11/MJD44H11T
MJD45H11-001
MJD45H11-001G
MJD45H11-1G
MJD45H11G
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  • MJD45H11 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价